A | B | C | D | E | F | G | H | CH | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9
A Zener-effektus a PN-átmenettel rendelkező félvezetőkben tapasztalható jelenség.
Ezt az effektust Clarence Zener, amerikai fizikus fedezte fel, ezért róla nevezték el a jelenséget.
A záróirányban előfeszített p-n átmenet elektromos letörési tartományba kerül, ahol az elektromos tér hatására a félvezető atomok kovalens kötése megszűnik és a kisebbségi töltéshordozók száma megnő, melynek eredményeként megnő a záróirányú áram.[1]
A Zener-effektus gyakorlati alkalmazása az úgynevezett Zener-dióda, vagy más néven a Z-dióda.
Mechanizmus
Nagy záróirányú feszültség hatására a p-n átmenet kiürített rétege kiterjed, mely egy nagy elektromos teret eredményez az átmenetben. Ez az elektromos tér okozza a félvezető atomok kovalens kötéseinek feltörését, mely felszabadít nagy mennyiségű kisebbségi töltéshordozót. Ez hirtelen megnöveli a záróirányú áramot és meredeken csökken a Zener dióda ellenállása, egy közel állandó feszültség mellett, megnő az áram.
Összefüggés a lavina-hatással
A Zener-effektus különbözik a lavina-effektustól, ahol a szabad elektronok a nagy térerősség hatására gyorsulnak, mozgási energiájuk megnő. A kristály atomjaiba ütközve a leadott energia újabb elektronokat szakít ki a kötésből, ami lavina-effektust eredményez, és a záróréteget hirtelen elárasztják az elektronok és a lyukak, az áram ugrásszerűen megnő.
A Zener-, vagy lavina-effektus egymástól függetlenül is előfordulhat.
Általában a Zener-effektusnál a letörési feszültség 5V alatt van, míg 5V felett lavina-effektus jön létre. Az 5V körüli letörés rendszerint a két effektus kombinációját eredményezi. A Zener letöréskor az elektromos térerősség közel V/m. A Zener letörés erősen szennyezett átmeneteknél fordul elő ( p típusú félvezetőknél mérsékelten szennyezett, n típusú esetben erősen szennyezett), mely egy vékony kiürített réteget hoz létre.
A Zener-effektuson alapuló Zener-diódákat az elektronikában feszültségstabilizálásra és feszültség határolásra használják.
A lavina-effektus enyhén szennyezett átmeneteknél fordul elő, mely egy szélesebb kiürített réteget produkál.
A hőmérséklet emelkedése csökkenti a Zener-effektust és növeli a lavina-effektust.
Kapcsolódó szócikkek
- Félvezető
- Z-dióda
- p-n átmenet
- Clarence Zener
- Landau–Zener-formula
- Hollomon–Jaffe-paraméter
- Adiabatikus-elmélet
- Lavina-effektus
- https://web.archive.org/web/20101123000116/http://www.fke.bme.hu/oktatas/meresek/4.pdf
Források
- ↑ PN junction breakdown characteristics. Circuits Today, 2009. augusztus 25. (Hozzáférés: 2011. augusztus 16.)
A lap szövege Creative Commons Nevezd meg! – Így add tovább! 3.0 licenc alatt van; egyes esetekben más módon is felhasználható. Részletekért lásd a felhasználási feltételeket.
Órajel
Óriás mágneses ellenállás
Összeadó (elektronika)
Üvegtörés-érzékelő
555-ös időzítő IC
Abszorpciós hullámmérő
Aktív ciklusidő
Aktív szűrő
Alkalmazásspecifikus integrált áramkör
Alkalmazásspecifikus standard termék
Amplitúdódiszkriminátor
Anód
Analóg-digitális átalakító
Analógia
Analóg elektromechanikus műszerek
Analóg műszerek közös szerkezeti elemei
Antennapolarizáció
Aránydetektor
Arduinome
ATmega328
ATmega88
Atmel AVR
Automatikus erősítésszabályozás
Automatikus frekvenciaszabályozás
Automatikus optikai vizsgálat
Bifiláris tekercs
Bionika
Bitszelet technika
Bode-diagram
CB-rádió
Dekatron
Demodulátor
Diódás demodulátor
Dielektromos abszorpció
Digital signage
Egyenáramú teljesítmény mérése
Egyfázisú váltakozó áramú teljesítmény mérése
Egylapkás rendszer
Elektródaszárító
Elektromos penetrációs görbe
Elektronika
Elemméretek listája
Elhangolt rezgőkörös demodulátor
Ellenállás–tranzisztor logika
Ellenütemű demodulátor
Erősítés
Erősítő
Erősítő áramkör
Fényorgona
Földelés
Fantomtáp
Felületszerelési technológia
Flip-flop (elektronika)
Flipflop (elektronika)
Fotoellenállás
Fotolitográfia
Glimmlámpa
GPS-vezérelt oszcillátor
Gyengeáram
Háromfázisú váltakozó áramú teljesítmény mérése
Hővezető lap
Hall-effektus
HP200A
HP200CD
Hullámvezető
IPS panel
Jósági tényező
Jitter
Közös módusú elnyomás
Kapacitás-feszültség mérés
Kapcsoló
Kapcsolóüzemű tápegység
Kaszkádgyorsító
Kibocsátókapcsolt logika
Kirchhoff-törvények
Koronakisülés
Kristálykályha
Kristályoszcillátor
Kvantálási zaj
Kvantálás (jelfeldolgozás)
Lítiumion-akkumulátor
Lokátor
Műveleti erősítő
Maradékfeszültség
Mechatronika
MEMS
Mikrochip (állatmegjelölés)
Mikroelektronika
Mikromat építőkészlet
Négypólusok
Negatív ellenállás
Nikkel-metál-hidrid akkumulátor
No Instruction Set Computing
Nyitásérzékelő
OLED-televízió
Oszcillátor
Package on package
PMR-rádió
PMR rádió
Programozható logikai mátrix
Rádió-vevőkészülék
Rövidre zárás
RAM
RC oszcillátorok
Rezgőkör
ROM
Sörétzaj
SAE800
SDR (Software-defined radio)
Shift regiszter
Sinc-szűrő
SINPO
SLAR
Sugárzott teljesítmény
Szabályozás
Szaggató
Szekvenciális logika
Szent Elmo tüze
Szerelőlap
Szerkesztő:Pegy22/Alkalmi
SZESAT
Szilárdtest relé
Szimmetrikus audiovonal
Szinkronizálás (elektrotechnika)
Tápvonal
Távirányító
Távközlési Kutató Intézet
Túlfeszültség
Tekercselt huzalkötés
Teljesítményelektronika
Tranzisztor–tranzisztor logika
Tranzisztoros demodulátor
Tranzisztoros rádió
Ultrakapacitás
V-chip
Varázsszem
Versenyhelyzet
Villamosmérnök
Volksempfänger
Walkman
Ward Leonard-rendszer
Wien-hidas oszcillátor
Zener-effektus
A lap szövege Creative Commons Nevezd meg! – Így add tovább! 3.0 licenc alatt van; egyes esetekben más módon is felhasználható. Részletekért lásd a felhasználási feltételeket.